细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
taiko研磨
TAIKO工艺 TAIKO工艺 研削 解决方案 DISCO Corporation
TAIKO工艺，于以往的背面研削不同，在对晶圆进行研削时，将保留晶圆外围边缘部分（约3 mm左右），只对圆内进行研削薄型化的技术。 “TAIKO工艺”的优点Solutions TAIKO工艺 TAIKO工艺 研削 解决方案 DISCO CorporationSolutions藉由太鼓超薄研磨 (Taiko Grinding) 技术，可为客户提供达仅50um的超薄厚度之晶圆，并利用湿蚀刻 (Spin Etching) 进行去除芯片表面因研磨产生的破坏层。同时一站式的为客户整合后段封装 太鼓超薄研磨完整解决方案 (Taiko Grinding Total Solution)TAIKO製程，與以往的背面研磨不同，在對晶圓進行研磨時保留晶圓外圍的邊緣部份(約3 mm左右)，只對圓內進行研磨薄型化之技術。 “TAIKO製程”的優點 通過在晶片外圍留邊TAIKO製程 TAIKO製程 研磨 解決方案 DISCO
TAIKO工艺 解决方案 DISCO HITEC CHINA
TAIKO工艺，是我公司开发的晶片背面研削的新技术。 这项技术和以往的背面研削不同，在对晶片进行研削时，将保留晶片外围的边缘部分（约3mm左右），只对圆内进行研削薄型化「TAIKOプロセス」とは、従来のバックグラインディングとは異なり、ウェーハを研削する際、ウェーハ最外周のエッジ部分（約3 mm程度）を残し、その内周のみを研削して薄化する技術です。TAIKOプロセス グラインディング ソリューショ 2024年8月5日 Taiko工艺是disco公司开发的超薄晶圆减薄技术，通过边缘留25mm范围从中间切入减薄，形成凹坑防碎并改善翘曲。 该技术能将12寸硅片减薄至50100微米，降低减薄难 什么是Taiko工艺？晶圆减薄机上如何应用？藉由太鼓超薄研磨 (Taiko Grinding) 技術，可為客戶提供達僅50um的超薄厚度之晶圓，並利用溼蝕刻 (Spin Etching) 進行去除晶片表面因研磨產生的破壞層。同時一站式的為客戶整合後段封裝 太鼓超薄研磨完整解決方案 (Taiko Grinding Total Solution)
先進封裝製程WLCSPTAIKO製程 大大通 (繁體站)
2019年7月4日 TAIKO製程，是新世代封裝新技術中使用的晶片背面研磨的名稱。 這項技術和以往的背面研磨不同，在對晶片進行研磨時，將保留晶片外圍的邊緣Ring部分（約3mm左右），只對圓內進行研磨薄型化。 通過導入這項技術， The TAIKO process is the name of a wafer back grinding process This method is different to conventional back grinding When grinding the wafer, the TAIKO process leaves an edge (approximately 3 mm) on the outer most TAIKO Process TAIKO Process Grinding TAIKO工艺，于以往的背面研削不同，在对晶圆进行研削时，将保留晶圆外围边缘部分（约3 mm左右），只对圆内进行研削薄型化的技术。完成TAIKO后，晶圆背面会形成凸起。TAIKO工艺介绍※TAIKOは株式会社ディスコの日本及びその他の国における登録商標です。 「TAIKOプロセス」とは、従来のバックグラインディングとは異なり、ウェーハを研削する際、ウェーハ最外周のエッジ部分（約3 mm程度）を残し、その内 TAIKOプロセス グラインディング ソリューショ
TAIKO工艺 解决方案 DISCO HITEC CHINA
TAIKO工艺，是我公司开发的晶片背面研削的新技术。这项技术和以往的背面研削不同，在对晶片进行研削时，将保留晶片外围的边缘部分（约3mm左右），只对圆内进行研削薄型化。利用研磨轮，在进行研磨时，保留芯片边缘，只针对边缘内侧进行研磨，使得边缘留下一圈如日本太鼓 (Taiko) 的鼓框一样的一圈，称之太鼓超薄研磨 (Taiko Grinding)。可大幅度降低芯片在极薄时所产生的翘曲，再以去除因研磨产生的破坏层。太鼓超薄研磨完整解决方案 (Taiko Grinding Total Solution)2018年8月1日 MOSFET晶圆减薄(wafer thinning)的背面研磨工艺中BG，利用研磨轮，进行快速而精密之研磨 Grinding后，再以蚀刻液进行表面微蚀刻，藉以去除因研磨产生的破坏层，并释放应力。宜特可为客户提供厚度达到仅100um的厚度，并利用晶背湿蚀刻进行芯片表面厚度再减薄、粗化及降低应力。Wafer Thinning 一般研磨 NonTaiko Grinding / Conventional TAIKO晶圆激光切环研究迪思科科技有限公司开发出一种新型的晶圆背面研磨 技术 TAIKO 工艺。 这项技术在对晶圆进行研磨时，保留晶 片外围约 3mm 左右的边缘部分，只对圆内进行研磨薄型化，从 而减少了晶圆的翘曲，大大降低对了对后工序加工机台的 TAIKO晶圆激光切环研究 百度文库
晶圆减薄Taiko工艺专业集成电路测试网芯片测试技术ic test
2023年8月28日 TAIKO工艺完成TAIKO 后， 欢迎光临专业集成电路测试网~~欢迎加入IC测试群： 注册 不过减薄难免会产生损伤，藉由穿透式电子显微镜 (TEM)分析芯片表面损伤程度可发现，随着研磨量增加，表面损伤层(Damage layer)深度随之增加(图二) 2024年1月30日 , 视频播放量 42557、弹幕量 9、点赞数 858、投硬币枚数 12、收藏人数 181、转发人数 15, 视频作者 Tom聊芯片智造, 作者简介 免费进半导体行业群，v: chip919，相关视频：芯片厂晶圆减薄工艺介 197｜Taiko减薄工艺介绍#芯片 #半导体 哔哩哔哩2024年2月6日 1 研磨减薄工艺优化 DISCO独创“TAIKO”研磨工艺，以解决传统背部研磨方案的缺陷。TAIKO工艺与 以往的背面研削不同，在对晶圆进行研削时，将保留晶圆外围边缘部分（约3 mm左 右），只对圆内进行研削薄型化。2024年DISCO公司研究报告：半导体“切磨抛”龙头的启示切割 TAIKO工艺提高晶片强度晶片使用更方便薄型化后的通孔插装，配置接线头等加工更方便不使用硬基体等类似构造而用一体构造※的优点晶片薄型化后需要高温工序(镀金属等)时，没有脱气现象发生因为是一体构造，形状单一，可降低颗粒带入现象※不使用硬切割 TAIKO工艺百度文库
研磨 解決方案 DISCO Corporation
在這裡將向大家介紹迪思科公司最新開發的減薄精加工研磨技術。 TAIKO ® 製程 TAIKO製程，與以往的背面研磨不同，在對晶圓進行研磨時保留晶圓外圍的邊緣部份(約3 mm左右)，只對圓內進行研磨薄型化之技術。 SiC, 碳化矽晶圓的研磨2023年12月4日 背面研磨胶带系列 ELEP HOLDER 低粘合力剥离且能有效减少紫外线。 出色的性能支持晶圆生产时的背面研磨处理。 耐热性背面研磨胶带（研发中） 耐热性背面研磨胶带主要用于晶圆研磨后的特殊热加工工艺。 用于硬 用于 TAIKO™ 晶圆的保护胶带剥离机 NEL 一片8吋晶圆裸片原始厚度为285 mil(725 um)，在经过减薄后，可将厚度降低至2mil (50um)、15mil (38um)、甚至04mil(10um)。 不过减薄难免会产生损伤，藉由穿透式电子显微镜 (TEM)分析芯片表面损伤程度可发现，随着研磨量增加，表面损伤层(Damage layer 15 mil 晶圆减薄新挑战 如何在 Taiko BGBM 工艺提升芯片强度?就是指不使用水和研磨膏等介质，只使用干式抛光磨轮进行干式抛光的去除应力加工工艺。 表1 迪思科公司的去除应力加工 ※2 DBG (Dicing Before Grinding)就是指，先对晶片实施半切割加工，然后通过背面研削将晶片分割成芯片的技术。减薄精加工研削 研削 解决方案 DISCO
晶圆减薄 (Wafer Thinning/NonTaiko Grinding / Conventional
一般研磨 (Wafer thinning/NonTaiko Grinding)流程 依照客户晶圆特性，与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后，进行胶带贴附 (Taping)；接着，进行一般研磨 (NonTaiko Grinding / Conventional Grinding)，并在完成一般研磨后，进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching)；最后，进行厚度量测 (Measurement)。2 天之前 指在圆片背面采用机械或化学机械方式进行研磨 ，将圆片减薄到适合封装的程度。其原理主要是通过机械研磨、化学腐蚀、干法刻蚀等方法来去除晶圆表面的材料。在减薄过程中，需要严格控制晶圆的平整度和厚度，以确保晶圆的质量和性能 先进封装设备——减薄机工艺分析及厂商盘点 艾邦半导体网2024年4月18日 2、与以往背面研磨方式不同，taiko工艺在研磨时只对晶圆中间区域进行研磨，以便在边缘留下一定宽度的支撑环。在完成taiko研磨后需要切割边缘部分的支撑环，由于之前研磨制程导致的晶圆内应力，极易造成晶圆翘曲或出现裂纹，给后续制程带来困难。一种用于Taiko晶圆制程的静电吸盘和Taiko晶圆支撑环移除 研磨 減薄精加工研磨 TAIKO製程 SiC, 碳化矽晶圓的研磨 High quality sapphire processing Reducing wafer edge chipping by optimizing the fine grinding amount Improving TTV by Planarization of backgrinding (BG) tape Uniformed Surface Roughness Variation in減薄精加工研磨 研磨 解決方案 DISCO Corporation
15 mil 晶圓薄化新挑戰 如何在 Taiko BGBM 製程提升晶片強度?
一片8吋晶圓裸片原始厚度為285 mil(725 um)，在經過薄化後，可將厚度降低至2mil (50um)、15mil (38um)、甚至04mil(10um)。 不過薄化難免會產生損傷，藉由穿透式電子顯微鏡 (TEM)分析晶片表面損傷程度可發現，隨著研磨量增加，表面損傷層(Damage layer 一般研磨 (Wafer thinning/NonTaiko Grinding)流程 依照客户晶圆特性，与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后，进行胶带贴附 (Taping)；接着，进行一般研磨 (NonTaiko Grinding / Conventional Grinding)，并在完成一般研磨后，进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching)；最后，进行厚度量测 (Measurement)。晶圆减薄 (Wafer Thinning/NonTaiko Grinding / Conventional 研磨轮在工作时能够有效地消散研磨时在研磨层中产生的热，提高研磨性能，并且还能够改善待磨削表面上的光洁度。研磨轮包括具有期望尺寸和形状的大量的磨粒附着件，每个磨粒附着件在其表面上均具有大量的磨粒，这些磨粒附着件待以 研磨轮 百度百科2022年7月24日 Taiko 工艺是一项非常有趣的创新。与其研磨整个硅片，然后不得不使用临时载体作为结构支撑，砂轮只研磨内部，留下全厚度的外环。有一些用于消除应力的蚀刻工艺。之后是通孔、凸块、分立器件、背面金属化和晶圆级探针卡测试的高级集成。DISCO：一家少被提及的半导体设备巨头 知乎
切割 TAIKO工艺百度文库
切割 TAIKO工艺研削外围区域有梯状的晶片更方便崩角现象为零以往的研削TAIKO工艺的研削TAIKO工艺流程图使用装置自动研磨机DAG810（TAIKO规格）The process of ring removal for TAIKO wafer by circle cuttingUp until now a pro 首页 文档 2023年12月4日 耐热性背面研磨胶带主要用于晶圆研磨后的特殊热加工工艺。 用于硬质基板的热分离胶带 NWSY5V/NWSTS322F 可用于加工易碎晶圆。 用于背面研磨处理的保护胶带粘贴器 NEL SYSTEM™ Series 该设备可将保护胶带粘贴在晶圆图案表面上，用于背面研磨日东 背面研磨胶带系列 ELEP HOLDERMOSFET晶圓薄化製程 Wafer Thinning 利用研磨輪，進行快速而精密之研磨後，再以蝕刻液進行表面微蝕刻，藉以去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。ProPowertek宜錦科技可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度，並利用晶背溼蝕刻 Backside Wet Etching 進行晶片表面厚度再減薄、粗化 Wafer Thinning 晶圓薄化 一般研磨 NonTaiko Grinding The TAIKO process is the name of a wafer back grinding process This method is different to conventional back grinding When grinding the wafer, the TAIKO process leaves an edge (approximately 3 mm) on the outer most circumference of the wafer and thin grinds only the inner circumference By using this method, it lowers the risk of thin wafer TAIKO Process TAIKO Process Grinding DISCO
TAIKO工艺介绍
TAIKO工艺，于以往的背面研削不同，在对晶圆进行研削时，将保留晶圆外围边缘部分（约3 mm左右），只对圆内进行研削薄型化的技术 完成TAIKO后，晶圆背面会形成凸起。传统的滚压法，由于贴合时的压力不均匀，会出现晶片上的应力和残留空隙等问题，无法进行背面贴膜。2018年7月6日 图1 晶圆在研磨 时遭受到机械摩擦力与热应力，产生损伤层之厚度。TECHNOLOGY ³ ¤ Ô ò 般晶圆最薄厚度为150μm，Taiko 晶圆最薄厚度为50μm ；可回收三种化学药水，使刻蚀液循环过滤回收再使用，一台设备可整合四个工艺腔体，进而大大提高设备 晶圆背面研磨与湿式刻蚀应力消除工艺2023年7月15日 减薄研磨的好处 晶圆减薄，或者晶圆背面研磨，是一种旨在控制晶圆厚度的半导体制造工艺，以满足芯片封装厚度尺寸和表面粗糙度的要求，提高器件的散热性能和产品可靠性： 更薄的芯片可从衬底散热；减薄的芯片可以实现紧凑型或微电子设备中的堆叠和高密度封装；先进封装设备之争 日本减薄机独领风骚，国产研磨机步步紧逼シリコンウェハー、ガラス、SiC、セラミック、GaAs、サファイアのダイシング・BG裏面研磨・CMPの受託加工を1枚より対応。TAIKOウェハー、シリコンガラス接合、バックメタルチップ、TEGチップ、ウェハー再生、ウェハー洗浄加工も承ります。バックグラインド(BG)・CMP・ダイシング受託加工 グローバル
TAIKOプロセス グラインディング ソリューショ
※TAIKOは株式会社ディスコの日本及びその他の国における登録商標です。 「TAIKOプロセス」とは、従来のバックグラインディングとは異なり、ウェーハを研削する際、ウェーハ最外周のエッジ部分（約3 mm程度）を残し、その内 TAIKO工艺，是我公司开发的晶片背面研削的新技术。这项技术和以往的背面研削不同，在对晶片进行研削时，将保留晶片外围的边缘部分（约3mm左右），只对圆内进行研削薄型化。TAIKO工艺 解决方案 DISCO HITEC CHINA利用研磨轮，在进行研磨时，保留芯片边缘，只针对边缘内侧进行研磨，使得边缘留下一圈如日本太鼓 (Taiko) 的鼓框一样的一圈，称之太鼓超薄研磨 (Taiko Grinding)。可大幅度降低芯片在极薄时所产生的翘曲，再以去除因研磨产生的破坏层。太鼓超薄研磨完整解决方案 (Taiko Grinding Total Solution)2018年8月1日 MOSFET晶圆减薄(wafer thinning)的背面研磨工艺中BG，利用研磨轮，进行快速而精密之研磨 Grinding后，再以蚀刻液进行表面微蚀刻，藉以去除因研磨产生的破坏层，并释放应力。宜特可为客户提供厚度达到仅100um的厚度，并利用晶背湿蚀刻进行芯片表面厚度再减薄、粗化及降低应力。Wafer Thinning 一般研磨 NonTaiko Grinding / Conventional
TAIKO晶圆激光切环研究 百度文库
TAIKO晶圆激光切环研究迪思科科技有限公司开发出一种新型的晶圆背面研磨 技术 TAIKO 工艺。 这项技术在对晶圆进行研磨时，保留晶 片外围约 3mm 左右的边缘部分，只对圆内进行研磨薄型化，从 而减少了晶圆的翘曲，大大降低对了对后工序加工机台的 2023年8月28日 TAIKO工艺完成TAIKO 后， 欢迎光临专业集成电路测试网~~欢迎加入IC测试群： 注册 不过减薄难免会产生损伤，藉由穿透式电子显微镜 (TEM)分析芯片表面损伤程度可发现，随着研磨量增加，表面损伤层(Damage layer)深度随之增加(图二) 晶圆减薄Taiko工艺专业集成电路测试网芯片测试技术ic test2024年1月30日 , 视频播放量 42557、弹幕量 9、点赞数 858、投硬币枚数 12、收藏人数 181、转发人数 15, 视频作者 Tom聊芯片智造, 作者简介 免费进半导体行业群，v: chip919，相关视频：芯片厂晶圆减薄工艺介 197｜Taiko减薄工艺介绍#芯片 #半导体 哔哩哔哩2024年2月6日 1 研磨减薄工艺优化 DISCO独创“TAIKO”研磨工艺，以解决传统背部研磨方案的缺陷。TAIKO工艺与 以往的背面研削不同，在对晶圆进行研削时，将保留晶圆外围边缘部分（约3 mm左 右），只对圆内进行研削薄型化。2024年DISCO公司研究报告：半导体“切磨抛”龙头的启示
切割 TAIKO工艺百度文库
切割 TAIKO工艺提高晶片强度晶片使用更方便薄型化后的通孔插装，配置接线头等加工更方便不使用硬基体等类似构造而用一体构造※的优点晶片薄型化后需要高温工序(镀金属等)时，没有脱气现象发生因为是一体构造，形状单一，可降低颗粒带入现象※不使用硬在這裡將向大家介紹迪思科公司最新開發的減薄精加工研磨技術。 TAIKO ® 製程 TAIKO製程，與以往的背面研磨不同，在對晶圓進行研磨時保留晶圓外圍的邊緣部份(約3 mm左右)，只對圓內進行研磨薄型化之技術。 SiC, 碳化矽晶圓的研磨研磨 解決方案 DISCO Corporation
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